- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت VBJ2102M
VBJ2102M دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | VBJ2102M |
|---|---|
| حجم فایل | 72.699 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت VBJ2102M |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec VBJ2102M
- Power Dissipation (Pd): 6.5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 230mΩ@6V,2A
- Package: SOT-223
- Manufacturer: VBsemi Elec